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Si(111)7×7清洁表面的总电流谱

王向东 胡际璜 戴道宣

Si(111)7×7清洁表面的总电流谱

王向东, 胡际璜, 戴道宣
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-02-17
  • 刊出日期:  2005-07-06

Si(111)7×7清洁表面的总电流谱

  • 1. 复旦大学表面物理实验室

摘要: 用自制的总电流谱仪对Si(111)7×7清洁表面进行了测量,得到A,B,C,D四个谱峰的能量位置分别在真空能级以上2.6,5.2,8.6和12.9eV。样品饱和吸氢后表面峰A消先。用带间跃迁模型对实验结果作了初步分析。

English Abstract

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