搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

张勇 余畸 郑健生 颜炳章 吴伯僖 李国华 汪兆平 韩和相

GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

张勇, 余畸, 郑健生, 颜炳章, 吴伯僖, 李国华, 汪兆平, 韩和相
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2387
  • PDF下载量:  720
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1988-02-08
  • 刊出日期:  2005-07-06

GaAs1-xPx:N束缚激子的压力行为

  • 1. (1)厦门大学物理学系; (2)中国科学院半导体研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文研究了77K温度下GaAs0.15P0.85:N样品的静压光致发光。在P>10kbar时,可清楚地观察到NN1的发光。同时,观察到压力下Nx带发光猝灭及谱带窄化现象。结果表明,压力效应明显地加强了Nx→NN1的热助能量转移过程。对Nx能级和NN1能级的压力行为进行了分析和拟合计算,得到相应能级的压力系数及波函数中各能谷的有关参数。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回