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GaAs/GaAlAs多量子阱的光致荧光诊断

贾惟义 鲁志东 黄绮 周均铭 李永康 王彦云

GaAs/GaAlAs多量子阱的光致荧光诊断

贾惟义, 鲁志东, 黄绮, 周均铭, 李永康, 王彦云
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-05-07
  • 刊出日期:  1988-03-05

GaAs/GaAlAs多量子阱的光致荧光诊断

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 利用光致荧光技术对GaAs/GaAlAs多量子阱质量进行了诊断。讨论了量子阱厚度涨落,铝成份涨落,各种缺陷和非故意掺杂等对量子阱光致荧光谱的影响,并反过来,又由光致荧光谱来推断引起量子阱质量退化的原因。在一定程度上为分子束外延工艺的改进提供了依据。

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