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a-Si:H结的横向光生伏特效应

彭少麒;苏子敏;刘景希

a-Si:H结的横向光生伏特效应

彭少麒;苏子敏;刘景希
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出版历程
  • 刊出日期:  1989-04-05

a-Si:H结的横向光生伏特效应

  • 1. 中山大学物理系

摘要: 本文通过理论分析研究了a-Si:H 结中横向光生伏特效应的定态与瞬态特性. 所得结果表明理论与实验非常符合. 值得注意的是, 按理论关系应用常规不掺杂a-Si:H 特性值估算的两个重要参数(样品中的薄层电阻1 / a , 和传输时间T_m均比由实验得出的值大得多. 基于合理的分析. 我们认为在a-Si:H 层中平行于结输运的电子可能具有异乎寻常高的载流子迁移率。

English Abstract

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