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SiO2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

陈存礼 周衡南 曹明珠 蒋宏伟 徐伟文 郭玲 黄敏

SiO2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

陈存礼, 周衡南, 曹明珠, 蒋宏伟, 徐伟文, 郭玲, 黄敏
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-11-17
  • 刊出日期:  2005-07-08

SiO2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

  • 1. (1)南京大学物理系; (2)南京固体器件研究所

摘要: 用一个W-Si混合靶源,以直流磁控溅射在SiO2上共溅射一层W-Si薄膜后,进行500—1000℃,15s的真空快速热退火,发现薄层电阻随退火温度出现一反常的极大值。用转靶X射线衍射研究分析了这一反常现象。在直至1100℃高温退火的样品中发现薄膜中存在W5Si3。它对薄层电阻有一定的贡献。

English Abstract

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