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清洁Si(111)表面电子结构的理论研究

关大任 蔡政亭 梅良模 张瑞勤

清洁Si(111)表面电子结构的理论研究

关大任, 蔡政亭, 梅良模, 张瑞勤
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-12-05
  • 刊出日期:  2005-07-08

清洁Si(111)表面电子结构的理论研究

  • 1. (1)山东大学理论化学研究室; (2)山东大学物理系
    基金项目: 

    国家教育委员会科学基金

摘要: 本文报道在原子集团模型下用CNDO-SCF方法对清洁Si(111)表面电子结构的系统研究结果:(1)计算了表面上的净电荷分布、电荷转移以及局域在各原子轨道上的电荷;发现T30,T3+和T3-式的表面悬挂键结构较难存在;表面原子趋于形成带有分数电荷的悬挂键,而实际上这些悬挂键彼此结合成弯键;表面原子及其悬挂键上有净电荷积累,且有很强的定域性和取向性。(2)计算了原子集团模型的静

English Abstract

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