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离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

俞跃辉 林成鲁 张顺开 方子韦 邹世昌

离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

俞跃辉, 林成鲁, 张顺开, 方子韦, 邹世昌
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-02-10
  • 刊出日期:  2005-07-08

离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室

摘要: 本文中研究了O+(200keV,1.8×1018/cm2)和N+(190keV,1.8×1018/cm2)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O+的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋层的界面存在一个不饱和氧化硅状态,氧化硅埋层是由SiO2相和这不饱和氧化硅态组成,而且氧化硅埋层和体硅界面不同于表层Si和氧化硅埋层界面;注N+的SOI结构在经1200℃,2h退火后,其氮化硅埋层中存在一个富N的疏松夹层,表层Si和氮化硅埋层界面与氮化硅埋层和体硅界面性质亦不同。这些结果与红外吸收和透射电子显微镜及离子背散射谱的分析结果相一致。还对两种SOI结构界面与埋层的不同特征的原因进行了分析讨论。

English Abstract

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