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用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫

蓝田 徐飞岳

用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫

蓝田, 徐飞岳
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-04-12
  • 刊出日期:  2005-07-08

用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫

  • 1. 成都电讯工程学院微电子技术与电子材料系

摘要: 用低能电子衍射研究了GaAs(110)表面的弛豫。发现当理论与实验之间符合得最好时,得到的结构是,保持表面上As—Ga键长不变用一个27.32°±0.24°的旋转角(ω),使As原子向外移动0.10±0.02?,Ga原子向内移动0.55±0.02?,而从Ga到第二层时空间为d2=1.45±0.01?,从第二层Ga到第三层的空间为d3=2.01±0.01?。对此结构As的背键长lAs=2.43±0.01?(收缩0.56%),而Ga的背键长lGa=2.253±0.004?(收缩8.0%)。

English Abstract

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