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X射线衍射研究N2+注入Si

马德录 于锦华 尚德颖

X射线衍射研究N2+注入Si

马德录, 于锦华, 尚德颖
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-07-25
  • 刊出日期:  1989-02-05

X射线衍射研究N2+注入Si

  • 1. (1)辽宁大学物理系; (2)辽宁大学物理系,沈阳冶金机械专科学校

摘要: 本文首先给出了180keV的N2+注入Si的X射线衍射(XRD)分布,然后用Levenberg-Marquardt最优化方法模拟实验曲线。根据XRD运动学理论,在我们给出的试探胁变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算给出了晶格胁变随注入深度、剂量和退火温度的变化。最后我们对实验和计算结果进行了初步的分析讨论。

English Abstract

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