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GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制

蒋维栋 樊永良 盛篪 俞鸣人

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GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制

蒋维栋, 樊永良, 盛篪, 俞鸣人

ELIMINATION OF P SEGREGATION DURING MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF Si ON GaP (111) SUBSTRATE

JIANG WEI-DONG, FAN YONG-LIANG, SHENG CHI, YU MING-REN
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  • 用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。
    The segregation of P from substrate to the surface of Si epilayer has been observed during MBE preparation of Si/GaP (111) heterostructure. In this paper, the mechanism of P segregation and relationship between the surface reconstruction and segregation are discussed, according to the results of AES and RHEED under different experimental conditions. The conclusion is that the segregation of P was caused by substituting P atom with Si deposited atom during growth. From this, a new method for eliminating the segregation of P efficiently is proposed.
    • 基金项目: 国家自然科学基金;国家教育委员会博士点基金资助的课题
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-11-13
  • 刊出日期:  2005-06-16

GaP衬底上分子束外延Si时P偏析的抑制

  • 1. 复旦大学表面物理实验室,上海200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    国家教育委员会博士点基金资助的课题

摘要: 用Si分子束外延技术在GaP(111)衬底上生长Si时,发现Si外延层表面存在P偏析,根据俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED)在一系列不同实验条件下的结果,本文对P偏析产生的机制、外延层表面再构与P偏析之间的关系作了分析和讨论,得出偏析主要来自外延Si原子与衬底P元素之间的相互交换。在此基础上提出了一种能有效地抑制P偏析同时又改善外延层质量的新的Si/GaP(111)异质结制备方法。

English Abstract

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