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Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究

陈可明 盛篪 俞鸣人 金高龙

Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究

陈可明, 盛篪, 俞鸣人, 金高龙
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-02-22
  • 刊出日期:  2005-03-20

Si(111)分子束外延的生长动力学过程研究

  • 1. (1)复旦大学表面物理实验室,上海,200433; (2)复旦大学表面物理实验室,上海,200433,中国科学院半导体研究所
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15?/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核”双原子层生长模式,在较低温,甚至室温时,其外延仍为双原子层模式,但是镜向弹性散射束振荡和非弹性散射束振荡的叠加会造成RHEED强度在生长的最初阶段出现“类单原子层”模式的振荡特性。

English Abstract

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