搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除

卢武星 钱亚宏 田人和 王忠烈

MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除

卢武星, 钱亚宏, 田人和, 王忠烈
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2610
  • PDF下载量:  502
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1989-03-07
  • 刊出日期:  2005-03-20

MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除

  • 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 本文研究了MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B+离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回