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Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

袁皓心 李齐光 姜山 陆卫 童斐明 汤定元

Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

袁皓心, 李齐光, 姜山, 陆卫, 童斐明, 汤定元
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-04-24
  • 刊出日期:  2005-06-22

Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

摘要: 在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D1(=Ev+0.75Eg)和D2(=Ev

English Abstract

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