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GexSi1-x/Si超晶格的俄歇深度剖面分析

卫星 蒋维栋 周国良 俞鸣人 王迅

GexSi1-x/Si超晶格的俄歇深度剖面分析

卫星, 蒋维栋, 周国良, 俞鸣人, 王迅
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-10-31
  • 刊出日期:  2005-06-28

GexSi1-x/Si超晶格的俄歇深度剖面分析

  • 1. 复旦大学表面物理实验室,上海,200433

摘要: 用氩离子刻蚀和俄歇电子能谱测量GexSi1-x/Si应变层超晶格的成分深度分布,得到Ge,Si两种成分随深度的周期性变化,在二次电子象中观察到刻蚀坑边缘的明暗交替的周期性结构。讨论了用俄歇深度剖面分布作超晶格结构分析的特点及其局限性。

English Abstract

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