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不同含氮量的a-Si:H/a-SiNx:H超晶格界面性质的研究

朱美芳 宗军 张秀增

不同含氮量的a-Si:H/a-SiNx:H超晶格界面性质的研究

朱美芳, 宗军, 张秀增
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-03-14
  • 修回日期:  1990-06-20
  • 刊出日期:  1991-01-05

不同含氮量的a-Si:H/a-SiNx:H超晶格界面性质的研究

  • 1. 中国科学技术大学研究生院,北京,100039
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    第三世界科学院研究基金

摘要: 通过电调制吸收、光热偏转谱、光致发光及红外吸收谱等实验技术,研究了不同含氮量的a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的界面性质。由电调制吸收测试得出的界面电荷密度Qs~1012cm-2。Qs比由光热偏转谱所获得的界面态密度Ni~1011cm-2大出约半个数量级。Ni,Qs,及光致发光相对峰值

English Abstract

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