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非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子M?ssbauer谱

梅良模 李卫东 毕耜云 刘宜华

非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子M?ssbauer谱

梅良模, 李卫东, 毕耜云, 刘宜华
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  • 采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,M?ssbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中发现存在尺寸效应,它只与FeBSi层的厚度有关,而死层效应既与FeBSi层厚度有关,也与Si层厚度有关。
    • 基金项目: 国家自然科学基金;中国科学院物理研究所磁学开放研究实验室基金
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-04-04
  • 刊出日期:  1991-01-05

非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子M?ssbauer谱

  • 1. 山东大学物理系,济南,250100
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    中国科学院物理研究所磁学开放研究实验室基金

摘要: 采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,M?ssbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中发现存在尺寸效应,它只与FeBSi层的厚度有关,而死层效应既与FeBSi层厚度有关,也与Si层厚度有关。

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