搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究

吴汲安 张敬平 邢益荣 刘赤子 王昌衡

Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究

吴汲安, 张敬平, 邢益荣, 刘赤子, 王昌衡
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3809
  • PDF下载量:  688
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1991-01-14
  • 修回日期:  1992-03-24
  • 刊出日期:  2005-07-03

Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)中国科学院半导体研究所,北京100083;中国科学院表面物理国家重点实验室,北京100080; (3)中国科学院表面物理国家重点实验室,北京100080; (4)中国科学院物理研究所,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回