搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究

施一生 赵特秀 刘洪图 王晓平

Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究

施一生, 赵特秀, 刘洪图, 王晓平
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3221
  • PDF下载量:  559
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1991-09-23
  • 刊出日期:  2005-07-03

Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究

  • 1. (1)中国科学技术大学物理系,合肥230026; (2)中国科学技术大学物理系,合肥230026;江苏盐城师范专科学校物理系,盐城224002
    基金项目: 

    中国科学技术大学结构分析开放研究实验室科研基金

摘要: 利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)对Pd/W/Si(111)界面进行了研究。实验结果表明,当系统作低温退火时,受W膜的阻挡,未生成硅化物,但Pd/W界面和W/Si(111)界面均有互扩散。升高退火温度,Pd-W原子在Si衬底上形成互溶体,Pd原子已穿过W阻挡层而到达W/Si(111)界面处,随着退火温度的继续升高,首先在W/Si(111)界面处生成PdSix,WSix也随之生成,这样就形成Pd-W原子分布的“反转”,在薄

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回