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p型硅MOS结构Si/SiO2界面及其附近的深能级与界面态

陈开茅 武兰青 彭清智 刘鸿飞

p型硅MOS结构Si/SiO2界面及其附近的深能级与界面态

陈开茅, 武兰青, 彭清智, 刘鸿飞
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-12-11
  • 刊出日期:  2005-07-03

p型硅MOS结构Si/SiO2界面及其附近的深能级与界面态

  • 1. (1)北京大学物理系,北京100871; (2)北京有色金属研究总院,北京100088
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 用深能级瞬态谱(DLTS)技术系统研究了Si/SiO2界面附近的深能级和界面态。结果表明,在热氧化形成的Si/SiO2界面及其附近经常存在一个浓度很高的深能级,它具有若干有趣的特殊性质,例如它的DLTS峰高度强烈地依赖于温度,以及当栅偏压使费密能级与界面处硅价带顶的距离明显小于深能级与价带顶的距离时,仍然可以观测到一个很强的DLTS峰。另外,用最新方法测量的Si/SiO2界面连续态的空穴俘获截面与温度有关,而与能量位置无明显关系,DLTS测

English Abstract

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