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α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究

卢学坤 侯晓远 董国胜 丁训民

α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究

卢学坤, 侯晓远, 董国胜, 丁训民
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-04-19
  • 刊出日期:  1992-02-05

α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究

  • 1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成α-P薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相似。在界面处有约一单层的P与衬底表面的Ga成键。α-P覆盖层使GaAs表面势垒下降约0.2eV。

English Abstract

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