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应变层超晶格(InAs)n(InP)n(001)电子结构的LMTO计算

柯三黄 王仁智 黄美纯

应变层超晶格(InAs)n(InP)n(001)电子结构的LMTO计算

柯三黄, 王仁智, 黄美纯
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-01-05
  • 刊出日期:  2005-07-10

应变层超晶格(InAs)n(InP)n(001)电子结构的LMTO计算

  • 1. 中国高等科学技术中心(世界实验室),北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    福建省自然科学基金

摘要: 基于Linearized-Muffin-Tin Orbitals(LMTO)能带方法,采用内部求和计入空d轨道的处理,对(InAs)n(InP)n(001),(n=1,2,3)应变层超晶格的电子结构进行了第一性原理计算。得出了其能带结构,态密度分布(对n=1)。考察了In4d轨道对能带计算的影响,并采用冻结势方法求出了(InAs)n(InP)n(001),(n=1,2,3)的价带边不连续值△Ev。

English Abstract

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