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(GaAs)1-xGe2x系统中的有序结构及其电子性质

段文晖 倪军 顾秉林 朱嘉麟 王世范

(GaAs)1-xGe2x系统中的有序结构及其电子性质

段文晖, 倪军, 顾秉林, 朱嘉麟, 王世范
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-07-07
  • 刊出日期:  2005-07-10

(GaAs)1-xGe2x系统中的有序结构及其电子性质

  • 1. (1)清华大学现代应用物理系,北京100084; (2)清华大学现代应用物理系,北京100084;山东矿业学院物理教研室,泰安271019

摘要: 从原子位形概率波理论出发得到了(GaAs)1-xGe2x系统中可能出现的、稳定的完全有序结构。以此为基础,利用从第一性原理出发的自洽LMTO方法,系统地研究了组份x=0.5时5种典型的有序结构相应的电子性质。结果表明,具有不同有序结构的材料的电子特性差别很大。材料中Ga-Ge和Ge-As键的比率越高,材料越有可能呈现金属性。

English Abstract

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