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a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性

陈光华 郭永平 姚江宏 宋志忠 张仿清

a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性

陈光华, 郭永平, 姚江宏, 宋志忠, 张仿清
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-09-24
  • 刊出日期:  1994-11-20

a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性

  • 1. 兰州大学物理系

摘要: 报道等离子体化学汽相沉积法制备的a-Si:H/a-SiC:H超晶格的蓝移现象,用小角度X射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现,超晶格界面附近存在较高浓度的H和较多的Si-C键,界面H的热稳定性较差,界面缺陷态密度为1.2×1011cm-2。

English Abstract

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