搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移

陆埮 蒋家禹 孙恒慧 龚大为

单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移

陆埮, 蒋家禹, 孙恒慧, 龚大为
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2729
  • PDF下载量:  794
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1993-04-13
  • 刊出日期:  1994-02-20

单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移

  • 1. (1)复旦大学物理系; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室
    基金项目: 

    上海市青年科技启明星计划资助项目.

摘要: 提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移,与常规的多频导纳谱相比,它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Si/Ge0.33Si0.67/Si单量子阱进行测试,得到激活能为Ea=0.20eV。为了计算出能带偏移值,必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置,由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度(即能带偏移)及温度等几个因素均有关。为此,本文通过解泊松方程,计算出结合本文样品

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回