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Cu + 掺杂口氧化铝光谱性能的研究

武珊

Cu + 掺杂口氧化铝光谱性能的研究

武珊
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-04-21
  • 刊出日期:  1995-06-15

Cu + 掺杂口氧化铝光谱性能的研究

  • 1. 

摘要: 用离子交换工艺对提拉法生长的N a + 节氧化铝进行处理得到的c u+ 掺杂p 氧化铝在紫外光激发下孤立C u+ 和IC u+一c u+ 1 二聚物的发射光谱. 在双掺情况下, 伴随C u+ 掺入的阳离子(K + , 人g +) 提高了孤立C u+ 对{C u+一C u+ } 发射强度的比率, 发射带峰位也略有偏移, 在C u+ / K 十掺杂样品中新发现一个很强的3 9 知m 的荧光峰. 文章提供了单掺和双掺C u+ 一p 氧化铝的吸收、发射和激发谱数据并对各荧光发射带的机制进行了讨论。

English Abstract

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