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大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚

姚光庆 张伯蕊 张丽珠 宋海智 段家忯 泰国刚

大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚

姚光庆, 张伯蕊, 张丽珠, 宋海智, 段家忯, 泰国刚
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  • 改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于~1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释.
    • 基金项目: 国家自然科学基金
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-08-31
  • 刊出日期:  1995-11-20

大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚

  • 1. (1)北京大学化学系,北京100871; (2)北京大学物理系,北京100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于~1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释.

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