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发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

季振国 陈立登 马向阳 姚鸿年 阙端麟

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

季振国, 陈立登, 马向阳, 姚鸿年, 阙端麟
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出版历程
  • 修回日期:  1993-12-02
  • 刊出日期:  1995-01-20

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

  • 1. 浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,杭州310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移.

English Abstract

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