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一种模拟多孔硅结构的新方法

陈永聪 张海峰 金耀辉 方容川 李永平

一种模拟多孔硅结构的新方法

陈永聪, 张海峰, 金耀辉, 方容川, 李永平
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-02-14
  • 刊出日期:  1995-04-20

一种模拟多孔硅结构的新方法

  • 1. (1)中国科学技术大学材料科学与工程系; (2)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥230026; (3)中国科学技术大学物理系,合肥230026;
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。

English Abstract

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