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28Sin-(n=1,2)离子对Ag表面的溅射研究

王传珊 李欣年 谢诒芬 王震遐 潘冀生 章骥平 陶振兰 杜光天

28Sin-(n=1,2)离子对Ag表面的溅射研究

王传珊, 李欣年, 谢诒芬, 王震遐, 潘冀生, 章骥平, 陶振兰, 杜光天
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-04-08
  • 刊出日期:  1995-05-20

28Sin-(n=1,2)离子对Ag表面的溅射研究

  • 1. (1)上海科技大学,上海201800; (2)上海原子核研究所,上海201800
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 用原子捕获膜技术结合卢瑟福背散射谱,测定了具有相同原子能量(16keV/原子)的~(25)Si_m~-(n=1,2)离子冲击Ag靶的溅射原子角分布。结果表明,~(26)Si_1~-冲击引起的Ag原子角分布较~(25)Si_2~-冲击在小发射角θ(Ag原子发射方向与靶表面法线方向之间的夹角)区有更大的增强。结合扫描电子显微镜对靶点表面的分析,我们认为这种角分布变化,可能暗示必须考虑靶点表面形貌特征差别的影响。

English Abstract

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