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δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

A.Dimonlas 沈文忠 唐文国 沈学础

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

A.Dimonlas, 沈文忠, 唐文国, 沈学础
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-03-01
  • 刊出日期:  1995-05-20

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

  • 1. (1)Foundation,forResearchandTechnology-Hellas,P.O.Box1527,Heraklion7lll0,Crete,Greece; (2)中国科学院红外物理国家重点实验室,上海200083

摘要: 报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。

English Abstract

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