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Yb注入Si后的退火结晶、杂质迁移及光致发光规律

宫宝安 李岱青 任廷琦 孙慧龄 朱沛然 徐天冰

Yb注入Si后的退火结晶、杂质迁移及光致发光规律

宫宝安, 李岱青, 任廷琦, 孙慧龄, 朱沛然, 徐天冰
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-03-21
  • 刊出日期:  1995-03-05

Yb注入Si后的退火结晶、杂质迁移及光致发光规律

  • 1. (1)烟台大学应用化学系,烟台264005; (2)烟台师范学院物理系,烟台264025; (3)中国科学院微电子研究和发展中心,北京100010; (4)中国科学院物理研究所,北京100080
    基金项目: 

    山东省教育委员会北京市中关村地区联合分析测试基金资助的课题

摘要: 用卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光测试技术研究了室温下350keVYb~+以1×10~(15)Yb·cm~(-2)的剂量注入单晶硅后,在不同快速热退火温度下表面非晶层的固相外延结晶,结晶过程中Yb的迁移和其光致发光发射。在800,900和1000℃快速热退火温度下,表面非晶层的固相外延结晶都在掺杂区域发生中断,同时观察到Yb在晶体/非晶界面和表面的双偏析新现象,并且Yb的光致发光强度随退火温度的增加而增加。但在1200℃退火温度下,表面非晶层则完全结晶,伴随着结晶过程Yb几乎全部堆积到了表面附近,并导致了

English Abstract

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