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不同晶面与应变状态下Si/Ge应变异质界面的价带能量不连续性

柯三黄 黄美纯 王仁智

不同晶面与应变状态下Si/Ge应变异质界面的价带能量不连续性

柯三黄, 黄美纯, 王仁智
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-08-01
  • 刊出日期:  1996-01-20

不同晶面与应变状态下Si/Ge应变异质界面的价带能量不连续性

  • 1. 厦门大学物理系
    基金项目: 

    福建省自然科学基金,国家自然科学基金

摘要: 结合应变异质界面能带排列的平均键能理论和形变势方法,确定了三种不同衬底上生长的Si/Ge系统在(001)和(110)两种不同晶面上的价带能量不连续值(Ev)得出了Si/Ge系统的Ev值随其衬底Si1-xGex的组分x变化的定量关系结果表明,Si/Ge系统价带平均能量的不连续性(Ev,av)基本不随应变状态的不同而变化,而最高价带的Ev值则表现出对弹性应变的高度敏感性(变化量约达0.5eV),此效应主要来源于单轴应力对价带结构的影响.Si/Ge系统在(001)面和(10)面上的Ev值略有差别,表现出弱的晶格取向的相关性本文对(001)面的计算结果与新近的归一保持赝势方法的大型超原胞计算结果以及相关的实验值相当一致.

English Abstract

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