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生长在GexSi1-x(001)衬底上应变GaAs层的价电子能带结构与光学性质

徐至中

生长在GexSi1-x(001)衬底上应变GaAs层的价电子能带结构与光学性质

徐至中
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-07-18
  • 刊出日期:  1996-01-20

生长在GexSi1-x(001)衬底上应变GaAs层的价电子能带结构与光学性质

  • 1. 复旦大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 采用紧束缚方法对生长在GexSi1-x(001)衬底上的应变GaAs层的价电子能带结构和空穴的三次非线性光学极化率x(3)进行了计算结果表明,由于应变的存在,使GaAs层的空穴有效质量和价带态密度变小,而使偏振方向在(001)面内的三次非线性光学极化率xxxxx(3)变大.

English Abstract

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