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[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

胡永健 彭初兵 方瑞宜 李文君 戴道生

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

胡永健, 彭初兵, 方瑞宜, 李文君, 戴道生
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  • 用真空蒸镀方法制备了[Fe/Cr],[Fe/Cr/Si]和[Fe/Si]多层膜.研究了Cr层、Si层和Cr+Si层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响.Fe层厚为2nm,Cr层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡.磁电阻值为14.6%(4.2K).在Cr层中加入一半Si层或全部由Si层替代,振荡消失,磁电阻减小到千分之几.根据掺Si层后多层膜的电阻率变化,认为Si加入使非磁层中自由电子数减少,随之极化效应也变弱,导致振荡消失,磁电阻大为降低
    • 基金项目: 国家自然科学基金及中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室和北京市中关村地区测试基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-07-17
  • 刊出日期:  1996-05-05

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

  • 1. 北京大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金及中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室和北京市中关村地区测试基金资助的课题.

摘要: 用真空蒸镀方法制备了[Fe/Cr],[Fe/Cr/Si]和[Fe/Si]多层膜.研究了Cr层、Si层和Cr+Si层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响.Fe层厚为2nm,Cr层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡.磁电阻值为14.6%(4.2K).在Cr层中加入一半Si层或全部由Si层替代,振荡消失,磁电阻减小到千分之几.根据掺Si层后多层膜的电阻率变化,认为Si加入使非磁层中自由电子数减少,随之极化效应也变弱,导致振荡消失,磁电阻大为降低

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