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纳米Ge颗粒镶嵌薄膜的Raman散射光谱研究

何怡贞 岳兰平

纳米Ge颗粒镶嵌薄膜的Raman散射光谱研究

何怡贞, 岳兰平
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-08-31
  • 修回日期:  1995-10-04
  • 刊出日期:  1996-10-20

纳米Ge颗粒镶嵌薄膜的Raman散射光谱研究

  • 1. (1)中国科学院固体物理研究所; (2)中国科学院固体物理研究所;中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

摘要: 研究了镶嵌在SiO2介质中的不同尺寸(4—16nm)纳米Ge颗粒的Raman散射谱特征,与大块标准Ge晶体的散射峰相比,观察到了理论预期的纳米半导体粒子的Raman散射峰的宽化和红移现象.采用声子限域模型较好地解释了实验结果.探讨了SiO2介质基体作用于镶嵌Ge粒子的压应力以及纳米Ge粒子的表面界面效应对Raman散射光谱的峰形、峰位变化所产生的影响

English Abstract

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