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GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究

朱文章 沈顗华

GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究

朱文章, 沈顗华
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-11-14
  • 刊出日期:  1996-02-20

GaAs/AlGaAs多量子阱光生电压谱研究

  • 1. (1)集美航海学院物理室,厦门361021; (2)厦门大学物理系,厦门361005
    基金项目: 

    福建省自然科学基金资助的课题

摘要: 在18—300K温度范围内,研究了用半绝缘体GaAs作为衬底的GaAs/AlGaAs多量子阱的光生电压谱.共观测到11H,11L,22H,22L,33H,33L,13H和31H等多种允许和禁戒的激子吸收峰.低温下的光生电压谱清晰地反映了多量子阱台阶式的状态密度分布.认为光生电压谱也可以作为一种判断多量子阱和超晶格外延生长质量的方法.还讨论了光生电压随温度的变化和光生电压效应的机理.

English Abstract

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