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高功率强流密度低发射度高亮度赝火花电子束产生

朱俊彪 王之江 张立芬 陆载通 黄羽 王明常

高功率强流密度低发射度高亮度赝火花电子束产生

朱俊彪, 王之江, 张立芬, 陆载通, 黄羽, 王明常
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-02-28
  • 刊出日期:  1996-03-05

高功率强流密度低发射度高亮度赝火花电子束产生

  • 1. (1)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院高能物理研究所应用部,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 由修改了的脉冲线加速器驱动的、高功率(200kV)、高电流密度、低发射度、高亮度赝火花放电电子束在15pa氮气中产生。束流强度2.2kA,脉宽400ns,束径1mm的电子束从阳极口射出,可在中性氮电离通道中传输20cm。在阳极下游5cm处,电子束相继打穿紧密粘贴在一起的酸敏纸和0.05mm厚的铜箔,分别留下0.6mm和0.3mm的穿孔。依据箍缩平衡条件算出该处的高能电子束的归一化发射度和亮度分别是23πmm mrad和8×1010A/(m2rad2)。对同一酸敏纸连续轰击10次给出1.6mm穿孔表明它具有好的重复性。观察工作60枪后的放电室发现,各种电极和绝缘子表面几乎未见任何破坏性烧蚀痕迹。实验证明,赝火花电子束的束质量比冷阴极电子束的束质量要好得多。

English Abstract

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