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SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究

杨平雄 邓红梅 郑立荣 林成鲁

SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究

杨平雄, 邓红梅, 郑立荣, 林成鲁
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-12-31
  • 刊出日期:  1997-07-20

SrBi2Ta2O9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

摘要: 在低温Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下700℃退火获得高质量的SBT薄膜,其择优取向为(008)和(115).薄膜厚度约为200nm.铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线,其剩余极化和矫顽电场分别为10μC/cm2和57kV/cm,在1010次开关极化后没有显示任何疲劳,在5V直流电压下的漏电流密度约为4×10-8A/cm2,直流击穿电场约为250kV/cm

English Abstract

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