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C60薄膜的离子注入损伤研究

邹云娟 严 辉 陈光华 金运范 杨 茹

C60薄膜的离子注入损伤研究

邹云娟, 严 辉, 陈光华, 金运范, 杨 茹
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-04-06
  • 修回日期:  1998-04-29
  • 刊出日期:  1998-11-20

C60薄膜的离子注入损伤研究

  • 1. (1)北京工业大学应用物理系,北京 100022; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000
    基金项目: 

    北京市自然科学基金(批准号:2962005)和北京市跨世纪人才工程专项基金资助的课题.

摘要: 在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果.

English Abstract

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