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吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

赵宗彦 中岛哲夫 深町共荣 根岸利一郎 吉泽正美 徐章程 郭常霖

吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

赵宗彦, 中岛哲夫, 深町共荣, 根岸利一郎, 吉泽正美, 徐章程, 郭常霖
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-05-26
  • 修回日期:  1997-06-26
  • 刊出日期:  1998-02-20

吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

  • 1. (1)安徽大学物理系,合肥 230039; (2)日本高能物理研究所光子工厂,茨城 305; (3)日本崎玉工业大学电子工学科,崎玉 369-02; (4)中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金和安徽省自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用同步辐射光源,在Ga和As的K吸收限之间调节入射X射线的能量时,在对称劳厄情况下,GaAs的(200)衍射峰附近可观测到从GaAs的入射面出射的Ga的K系荧光X射线.当入射X射线的能量改变时,荧光曲线的非对称性会发生变化,变化趋势与相应的对称布喇格情况相类似.但是,劳厄情况下的变化不能解释为晶体内部X射线驻波的波节面相对于GaAs(200)格子面的移动.在劳厄情况下,X射线驻波的振幅随入射角的变化与结构因子的相位密切相关,因此结构因子的相位变化也会导致荧光曲线的非对称性变化.在假设原子的荧光溢出与该原

English Abstract

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