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Co在GaAs(001)表面的分子束外延及其结构研究

吴义政 丁海峰 敬 超 吴 镝 刘国磊 董国胜 金晓峰

Co在GaAs(001)表面的分子束外延及其结构研究

吴义政, 丁海峰, 敬 超, 吴 镝, 刘国磊, 董国胜, 金晓峰
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-07-07
  • 修回日期:  1997-08-28
  • 刊出日期:  1998-03-20

Co在GaAs(001)表面的分子束外延及其结构研究

  • 1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,李政道物理学综合实验室,上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金、国家杰出青年科学基金、国家教育委员会博士学科点专项科研基金和上海市科学技术委员会青年科技启明星计划资助的课题.

摘要: 报道了用高能电子衍射研究Co在GaAs(001)表面上分子束外延生长的实验结果.发现当生长温度为150℃时,Co膜的外延可以分为三个阶段:最初的3nm Co膜的晶体结构是体心立方亚稳相;接下来的4nm是复杂的多相结构;从7nm往后,Co膜则是单晶的六角密堆积结构热力学稳定相.这一新的实验结果,澄清了前人有关这一体系外延层晶体结构的矛盾之处,并清晰地建立了Co在GaAs(001)表面外延生长的物理图象.

English Abstract

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