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含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

马书懿 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 韩和相 汪兆平 李国华

含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

马书懿, 张伯蕊, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华, 韩和相, 汪兆平, 李国华
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-06-23
  • 刊出日期:  1998-03-20

含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

  • 1. (1)北京大学物理系,北京 100871; (2)电子工业部第十三研究所,石家庄 050051; (3)中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083

摘要: 以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶,改变靶上锗与总靶面积比为0%,5%和10%,用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析,发现随着锗在溅射靶中面积比的增加,所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃,GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV

English Abstract

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