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通过纳米硅中量子点的共振隧穿

刘 明 王子欧 何宇亮 江兴流

通过纳米硅中量子点的共振隧穿

刘 明, 王子欧, 何宇亮, 江兴流
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-09-22
  • 刊出日期:  1998-02-05

通过纳米硅中量子点的共振隧穿

  • 1. 北京航空航天大学应用物理系,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 用纳米硅(nc-Si∶H)薄膜制成了隧道二极管,并在其I-V曲线上发现了不连续的量子化台阶.二极管的I-V曲线可分成二部分:(1)0—7V,电流随外加电压增大而增大;(2)7—9V,电流随外加电压急剧增大并出现三个量子化台阶.量子化台阶的出现直接与纳米硅中的晶粒有关,根据nc-Si∶H的独特结构,对载流子的传导通道进行了讨论;用通过nc-Si∶H中量子点的共振隧穿对I-V曲线进行了初步解释.

English Abstract

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