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Hg1-xCdxTe晶体缺陷的正电子湮没寿命

李丽君 吴锦雷 王作新

Hg1-xCdxTe晶体缺陷的正电子湮没寿命

李丽君, 吴锦雷, 王作新
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-10-20
  • 刊出日期:  1998-05-20

Hg1-xCdxTe晶体缺陷的正电子湮没寿命

  • 1. (1)北京大学电子学系,北京 100871; (2)华北光电技术研究所,北京 100015

摘要: 利用正电子(e+)湮没寿命谱实验研究了Hg1-xCdxTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品,不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工艺,p型材料转为n型,同时对正电子的俘获效应减小,表现为正电子湮没平均寿命值减小14—17ps.若退火温度高于350℃,正电子湮没寿命值又增大,表明Hg空位浓度增加.得到HgCdTe中正电子的体寿命为τb=272ps.根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果,得出

English Abstract

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