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非晶Si/SiO2超晶格的制备及其光谱研究

刘宁宁 孙甲明 潘少华 陈正豪 王荣平 师文生 王晓光

非晶Si/SiO2超晶格的制备及其光谱研究

刘宁宁, 孙甲明, 潘少华, 陈正豪, 王荣平, 师文生, 王晓光
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-01-10
  • 刊出日期:  2000-05-20

非晶Si/SiO2超晶格的制备及其光谱研究

  • 1. 中国科学院物理研究所光物理开放实验室,北京 100080;中国科学院凝聚态物理中心,北京 100080
    基金项目: 

    国家攀登计划资助的课题.

摘要: 用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8—3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量

English Abstract

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