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传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

王印月 甄聪棉 龚恒翔 阎志军 王亚凡 刘雪芹 杨映虎 何山虎

传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

王印月, 甄聪棉, 龚恒翔, 阎志军, 王亚凡, 刘雪芹, 杨映虎, 何山虎
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-11-01
  • 修回日期:  2000-01-08
  • 刊出日期:  2000-07-20

传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率

  • 1. 兰州大学物理系,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69676005)资助的课题.

摘要: 采用传输线模型测量了重B掺杂p型金刚石薄膜(约1020cm-3)上Ti/A u欧姆接触电阻率ρc,测试了500℃退火前后及大电流情况下的I-V特性,研究 了退火对ρc的影响.结果表明,重掺杂和退火工艺是改善欧姆接触的有效手段. ρc随测试温度的变化表明金属/半导体接触界面载流子输运机制为隧道穿透.而 光照对ρc影响的分析表明金刚石可作为理想窗口材料.测试得到的最低ρ c值约为10-4Ωcm2.

English Abstract

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