搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

孙永科 衡成林 王孙涛 秦国刚 马振昌 宗婉华

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

孙永科, 衡成林, 王孙涛, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2664
  • PDF下载量:  566
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2000-01-28
  • 刊出日期:  2000-07-20

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

  • 1. (1)北京大学物理系,北京 100871; (2)信息产业部第十三研究所,砷化镓集成电路国家重点实验室,石家庄 050051
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59832100)资助的课题.

摘要: 利用射频磁控溅射方法,在n+-Si衬底上淀积SiO2/Si/SiO2纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n+-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n+-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n+-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是:反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回