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6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟

尚也淳 张义门 张玉明

6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟

尚也淳, 张义门, 张玉明
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-12-05
  • 修回日期:  2000-02-03
  • 刊出日期:  2000-09-20

6H-SiC电子输运的Monte Carlo模拟

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,西安 710071

摘要: 从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律,在模拟中考 虑了6H-SiC主要的散射机理,模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移 率的各向异性,其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍.模拟结果和实验数据的对比说明了对 6H-SiC输运特性的模拟是正确的.

English Abstract

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