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Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷场诱相变性能的改进

刘 鹏 杨同青 张良莹 姚 熹 徐 卓

Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷场诱相变性能的改进

刘 鹏, 杨同青, 张良莹, 姚 熹, 徐 卓
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-03-05
  • 刊出日期:  2000-09-20

Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷场诱相变性能的改进

  • 1. (1)陕西师范大学物理系,西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所,上海 200092; (3)西安交通大学电子材料研究所,西安 710049

摘要: 为了获得场诱反铁电(AFEt)—铁电(FER)相变临界电场Ef小、电滞ΔE小、场致应变x适当的反铁电陶瓷,对Pb(Zr, Sn, Ti)O3采用Ba 2+置换Pb2+,同时在四方反铁电相AFEt—三方铁电F ER相界附近调节Ti/Sn比,来控制FER-AFEt,AFEt

English Abstract

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