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不同剂量C离子注入Si单晶中Si1-xCx合金的形成及其特征

王引书 李晋闽 王玉田 林兰英 金运范

不同剂量C离子注入Si单晶中Si1-xCx合金的形成及其特征

王引书, 李晋闽, 王玉田, 林兰英, 金运范
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-02-26
  • 修回日期:  2000-06-13
  • 刊出日期:  2000-11-20

不同剂量C离子注入Si单晶中Si1-xCx合金的形成及其特征

  • 1. (1)北京师范大学物理系,北京 100875; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (3)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000

摘要: 室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了不同注入剂量下Si1-xCx合金的形成及其特征.如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850—950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si1-xCx合金相.随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx

English Abstract

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